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在本笔记中的重点，也是每年的必考的我都会做标记你们一定要注意。。。。
晶体学基础 1. 晶体结构：原子在三维空间呈周期性的重复排列即存在长呈有序。（与非晶体的区别：1.固定溶点2.各向异性） 2. 空间点整与晶胞：选择晶胞的原则：略，因为几乎不考，可以适当了解。见书上 3. 空间点阵与晶体结构的区别：1.晶体质点排列的几何学现象，用以分析晶体结构周期性和对称性，是理想的状态2.晶体结构则是晶体中实际质点的排列情况，他能组成各种各样的排列，几乎无限。而空间点阵自会有14种。 4. 晶面晶向指数 简单的立方晶系，晶向我就不多说了，相信大家也知道，着重点是hcp结构的晶向，估计有好多人不明白晶面为什么会有四个系数（uvtw）你知道知道这里面的t其实和uv有关，既t=-（h+k），将所以当试题要求我们画晶面的时候就一定要注意t是否等于h+k的负数，如果不是则不存在这个晶面，验证后就继续，将hcp的底面分为uvt 3个轴计算方式和立方晶向的方法一样…… 相信大家的晶面计算和晶向计算都会，我就不多说了，现在我讲的是晶面与晶向的关系： 1.[uvw]平行[-u-v-w]注意这里我是求方便才打成 这样，但考试时一定要写成符号在字母上面 2.（uvw）//（-u-v-w） 3.[uvw]垂直(uvw) 注意数字相同的时候是垂直 4.当[uvw]位于或平行与（hkl）时，hu+kv+lw=0 晶面间距 正交晶系:Dfile:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-10385.png=1/[(h/a)file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-28919.png+(k/b)file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-23297.png+(l/c)file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-479.png]file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-4674.png 若是立方晶系则是a=b=c 5金属的晶体结构，在这里我就不多说了书上有， 原子数，点阵常数，配位数，致密度。。几乎每年都考另外我在这里主要是强调一点就是密度和致密度的关系。。。因为今年也考虑密度，可能有些人不知道，其实只要将致密度的公式在除个Nafile:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-30296.png，这是个常数，就是我们以前学的那个我也不知道名字反正是6.02file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-24011.png10file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-12801.png大概是这样。。。。不要紧考试时候题目会给提示。 6原子堆垛的方式。。 这题极其重要，一般主要考面心和hcp的区别和共同点，这题目在真题有又出现，可以参考。其概念必须牢记。。 二．固体材料结构 1.13年没有考，但是必须要注意，因为以前的题目中有要解释现象的原因，可以从键的结构入手，比如AL和氧化铝的性能为什么会有这么大的区别呢，我们记忆的重点应该是金属键，以及离子键还有共价键。。 金属键：概念不解释，基本特点：电子公有化 由于其无饱和性无方向性file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-1186.png形成低能量密堆结构+使金属变形可以不改变其键被破坏file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-4645.png良好的延展性 由于自由电子file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-16342.png导电导热性 离子键基本特点：以离子为单位而不是原子 因为很难产生自由电子file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\ksohtml\wps_clip_image-16578.png电绝缘体 注意：当温度高时依然会导电，因为此时是离子作用 共价键：供用电子对。。 配位数最小（共价键小于离子键） 有方向性和饱和性：结构稳定，熔点高，质地硬绝缘体 2合金相结构。。 固溶体：概念大家自己可以看书自己总结，无非是置换和间隙。。 我要提的是影响固溶度的因数。因为13年已考这个题目 a． 晶体结构：晶体结构相同。这无限固容如：hcc和hcc hcp和hcp b． 尺寸因数原子半径差小于15%溶解度交大，同时越想近越大 c． 电负性，越相近越大 d． 原子价越高溶解度越低 e． 温度越高其越高 最后还要提及一个冷门的考点。。。 大家也要注意点，就是间隙固溶体的计算。今年的第一题就考多少个铁晶胞可以容纳一个碳原子，你们可以回头自己考虑i下。还有一个就是间隙相和间隙化合物的区别。虽然这个不重要但也是要背的 晶体缺陷 1. 点缺陷：空位 间隙原子 杂质 溶质原子（朋友们，空位和间隙的平衡公式一定要记住，还有其为什么会称为空位平衡？解释下其概念：因为空位的存在，造成点阵畸变，引起体系自由能下降，同时造成原子排列混乱，增加了振动熵和组态熵，增加了体系自由能所以在某个温度下其呈平衡状态） 2. 空位的影响。在结构上可参照上述表达，在性能上：电阻增加，体积膨胀，密度减小 ，导电性改变。 3. 刃型位错：：1基本类型，多出来额外的半原子面在滑移面上，其位错线是滑移区和未滑移区的边界线。与滑移方向滑移矢量垂直2滑移面：包括位错线和滑移矢量，我只上传了一部分，如果大家想要全部的，加我qq374114010吧。
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