2008年复旦专业试题

liuyuz · 发表于 08-6-28 22:40:53

本帖最后由 liuyuz 于 2013-11-17 13:02 编辑

2008年复旦DDIM专业试题

一.名词解释.
scarcity
perato economics
short-run equilibrium
long-run equilibrium
忘记了,想起来了再补充吧.
题目顺序可能不对.
简答:
management skills
TQM
distribution channel function(是那本8百多页的书里的一个小角落里的)
waht is entrepreurship?and how to manage entrepreurship?
经济学出了一道IS-LM模型的题,30分.
管理学的简答题很的多,都是9分,10分一题,赚那几分很不容易.....
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liuyuz · 发表于 08-6-28 22:41:31

本帖最后由 liuyuz 于 2013-12-23 22:05 编辑

复旦大学2008年文学语言综合知识试题

名词解释（共10个）
四始六义
神话思维
《语助》（卢以纬著）
互补分布
前七子，后七子
十八韵
自然主义

填空（2题10个空）
1.《文选》编者的朝代，姓名，《文选序》中的一句句子填空
2.关于元稹《莺莺传》，董解元《西厢记诸宫调》，王实甫《西厢记》的

简答（2题）
1.如何推求词的本义
2.现代汉语中外来语的种类

论述（5题）
1.汉语句子的功能分析法
2.论述创造社、太阳社对鲁迅的攻击及其在中国现代文学史上的意义
3.日本新感觉派文学的特点
4.《离骚》在艺术构思上的特点
5.论述胡风在四十年代的文艺理论与毛泽东《在延安文艺座谈会上的讲话》的观点差异

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liuyuz · 发表于 08-6-28 22:41:57

本帖最后由 liuyuz 于 2013-12-23 22:05 编辑

补充

名词解释

商代文字
美狄亚
陌生化

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liuyuz · 发表于 08-6-28 22:42:36

本帖最后由 liuyuz 于 2013-11-17 13:03 编辑

复旦大学2008年半导体器件原理试题

一．选择题１５＊６
１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：
Ａ：p＋区浓度　　　　Ｂ：n区的浓度　　　Ｃ：p＋区和n区的浓度
２。二极管正向阈值电压Ｖf：
Ａ：随温度升高而升高　Ｂ：随温度升高而下降　Ｃ：不随温度变化
３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：
Ａ：来得大　　　　　Ｂ：来得小　　　Ｃ：在同一数量级上
４。双极型晶体管共基极连接：
Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放
大
５。晶体管基区运输系数主要决定于：
Ａ：基区浓度　　Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命　　Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度

６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；
Ａ：发射区浓度越高发射效率越高　Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高　Ｃ：发射区浓度
不能太高否则发射率反而下降
７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：
Ａ：３９　Ｂ：５２　Ｃ：７０
８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p型，中性）

９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是：
Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离　Ｂ：n型时向正方向平移一段距离　Ｃ：向负方
向平移一段距离，与类型无关
１０．mos管＂缓变沟道近似＂是指：
Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢　Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢　
Ｃ：沿沟道方向的电场很小
１１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat：
Ａ：与栅电压Ｖgs无关　Ｂ：在长沟道与短沟道是不同　Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt
１２．nos管体电荷变化效应是指；
Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响　Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影
响　Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响
１３．mos亚阈值电流的主要特征：
具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不
大
１４．nos管短沟道效应是指：
选项没有记下
１５．控制cmos倒相管latch－up最有效的方法：
Ａ：提高沟道电场　Ｂ：等比率缩小器件　Ｃ：增大衬底电阻

二．名词解析５＊６
１．试说明迁移率的定义是什么？其量纲是什么？
２．试说明mos管沟道长度调变效应及其影响
３．试说明mos管有放大作用的基本原理
４．试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系
５．试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗

三．计算题１＊３０
有一个n沟道mos场效应管，衬底浓度Ｎa＝１０＾１７（cm＾－３），氧化层厚度Ｔox＝５
０nm，氧化层中正电荷密度Ｎss＝１０＾１０（cm＾－２），金属ＡＬ的功函数Ｗm＝４．
２ev，硅的电子亲和势为４．０５ev．试求该管的阈值电压Ｖt，它是什么型？在Ｖg＝３
v，Ｖds＝２v时，它工作在什么区？（注：其他的所有常数都没有给出）
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HUWEN125 · 发表于 08-7-1 21:30:07

复旦我一定要拿下你

pipitang3 · 发表于 08-7-2 23:08:08

“复旦大学2008年半导体器件原理试题” 真好

lipeng0047 · 发表于 08-7-8 21:26:08

楼主，好人！

SUHU · 发表于 08-7-15 12:09:04

非常感激！

追梦男孩 · 发表于 08-7-23 19:31:58

呵呵
好哥们
好样的
顶
呵呵

tmguainhh · 发表于 08-8-14 15:33:21

好人一生平安！

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