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标题: 【考研真题】大连理工微电子与固体物理学2011半导体试题 [打印本页]

作者: huhuhuhu 时间: 11-9-23 08:01
标题: 【考研真题】大连理工微电子与固体物理学2011半导体试题
一名词解释
  1.杂质补偿
  2.半导体电子运动特点
  3.三维晶体总共有M个原子，三个原子组成一个原胞，求格波数量

  4.非简并半导体
  5.线缺陷类型
  6.迁移率
  7.物理PN结
  8.间接复合
  9.SI半导体，Na=10 17次方 Na=10 18次方
比较它们两个W
二.看图作答
图跟08的图一样  题目也类似  更加简单点
三.简答题
1 P型半导体的R与T温度关系
2轻重空穴，两个的质量分别为0.5M0
0.1M0
求它们的比例（唔，这题我没做出来，十分没了）四.EK=ACOSKA
求禁带宽度，画出与K的关系图神马的，这题很常见，各类书上都有。比平常的书上多了一个小题，求的是平均能带数五作图题
1.金半接触（作图，简答）

2MOS结构在发生反型时的能带图
P型六.以前的真题有，求NO,PO  很简单

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