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标题: 半导体物理详细归纳总结刘恩科 [打印本页]

作者: android 时间: 19-2-18 15:03
标题: 半导体物理详细归纳总结刘恩科
第一童、
半导体中的电子状态习题
1-1、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。
1-2、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
1-3、试指出空穴的主要特征。
1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。
1-5、某一维晶体的电子能带为
E(Jc) = £0[l-0.1cos(A:a)-0.3sm(/:a)]
其中E〇=3eV，晶格常数azSxHr11!!!。求：
(1) 能带宽度；
(2) 能带底和能带顶的有效质量。
题解：
1-1、解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（Eg)被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。

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