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标题: 天津大学微电子2013年微电子复试笔试考研真题 [打印本页]

作者: 范老师 时间: 14-11-3 21:15
标题: 天津大学微电子2013年微电子复试笔试考研真题
2013年复试笔试试卷
1，英语    Vbi  影响因素NA ND Ni T
               正向偏压，势垒区降低，少数载流子

2，栅调制击穿与雪崩击穿

其余原题

3，设计！ＡＢ＋ＣＤ  ！（Ｅ＋Ｆ）Ａ＋Ｂ

４，大扇入优化

５，静态ＣＭＯＳ

６，Ｃ２ＭＯＳ时钟变差无影响

７，最大最小延时  答案：

1. 书上包括时钟偏差，时钟抖动在内计算周期的公式，可以先把那几页看一下。

2. 题目与12年图形相似，其中两个反相器的时间就是时钟偏差

3. 题目所求的就是逻辑电路的最大和最小延时tlogic.

4. 两个不等式中各变量，在题目中除了时钟偏差如上所理解，其余全部告诉

5. 带入两个不等式，解出tlogic.范围即可

作者: 面北朝南 时间: 15-3-13 20:17
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