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标题: 天津大学微电子2013年半导体初试考研真题 [打印本页]

作者: 范老师 时间: 14-11-3 21:14
标题: 天津大学微电子2013年半导体初试考研真题
天津大学2013年半导体
一、名词解释 1、空穴 2、准费米能级 3 、简并半导体 4、准费米能级二、简答题
1、硅、GaAs能带结构比较跃迁。发光材料选择哪种？ 2、重参杂AlGsAs与砷化镓的高电子迁移率原理 3、隧道二极管的IV特性，图加原理 4、有效质量的概念、意义、作用三、实验题
新题：MOS的平带电压与金属与半导体功函数差和固定电荷密度有关，请设计一个方法，现在可以通过测量不同氧化层厚度的平带电压的实验得到平带电压与以上两因素有关。四、计算题
1、计算电导率与时间的关系。光照N型半导体均匀产生非平衡少数载流子，施主杂志浓度ND，产生率gp= 10*8，已知ni,un,up,tp,tn.
2、已知费米能级的位置在本征费米能级下方0.45ev出，现在有受主杂质浓度NA（一个很大的值算出来EF-Ei大于0.45ev。）问需要继续加入何种类型杂志，并且算出浓度。五、论述题
1、激光器为什么用 AlGsAs与砷化镓？
2、硅Si应变异质结概念，硅锗应变结在高速电路中的应用，同型和反型异质结的区别？ 3、半导体光电池的原理，半导体光电池与光伏探测器的区别，画出光电压和光电流的图像，指出其最大值

作者: 浅风敲竹 时间: 15-3-4 17:47
谢谢楼主，总能有帮助

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